Vynalezen bipolární tranzistor

5. 7. 2012 0:00
Rubrika: události

5. 7. 1951 vynalezl William Shockley bipolární tranzistor.


Tranzistor vynalezli William Shockley, John Bardeen a Valter Brattain  16. 12. 1947 v Bellových laboratořích. Za tento vynález obdrželi v roce 1956 Nobelovu cenu za fyziku.

„Základní vlastností tranzistoru je schopnost zesilovat – malé změny napětí nebo proudu na vstupu mohou vyvolat velké změny napětí nebo proudu na výstupu.“ (viz Wikipedie)

Tranzistor je polovodičová součástka s nejméně třemi elektrodami Dnes je tranzistor základem všech integrovaných obvodů, které jsou v procesorech, paměťových modulech… Objev tranzistoru napomohl k miniaturizaci elektrotechnických součástek a k zvýšení jejich koncentrace na jednotku plochy.

Tranzistory se dělí na unipolární a bipolární. Elektrody unipolárního tranzistoru se označují jako drain gate a source a jsou řízeny napětím (elektrostatickým polem) na gate. Bipolární tranzistory mají tyto elektrody: kolektor, bázi a emitor. Jsou řízeny proudem do báze.

Bipolární tranzistor obsahuje dva PN přechody, které propouští proud pouze jedním směrem (fungují jako dioda). Bipolární tranzistory jsou buď PNP nebo NPN, liší se podle typu použitých přechodů.

Literatura:

http://cs.wikipedia.org/wiki/Tranzistor

http://cs.wikibooks.org/wiki/Praktická_elektronika/BJT_Tranzistory

Sdílet

Komentáře

Pro přidání komentáře se musíš přihlásit nebo registrovat na signály.cz.

Tento blog je součástí s.magazínu, který připravuje Redakce signály.cz.

Autor blogu Grafická šablona Ondřej Válka